比特派官网,bitpie比特派钱包 三星 1.4nm 工艺细节初度曝光,纳米片数目加多到 4 个

发布日期:2023-11-15 19:35    点击次数:175

比特派官网,bitpie比特派钱包 三星 1.4nm 工艺细节初度曝光,纳米片数目加多到 4 个

IT之家 11 月 1 日讯息,凭据 DigiTimes 报说念,Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 自大,三星行将推出 SF1.4(1.4 nm)工艺中 比特派官网,bitpie比特派钱包,纳米片(nanosheets)的数目从 3 个加多到 4 个,有望明显改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的逾越地位,在推出基于 GAA 的 SF3E 之后,打算 2027 年上线 SF1.4(1.4nm)工艺,通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管加多纳米片数目 比特派官网,bitpie比特派钱包,不错增强驱动电流,从而擢升性能,更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管,从而增强其开关智商和开动速率。

此外,更多的纳米片不错更好地限度电流,这有助于减少走电流,从而缩短功耗。此外,改变的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少,从而擢升了功率成果。

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IT之家此前报说念,三星还打算在 1.4nm 工艺中经受背部供电(BSPDN)工夫,旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲,但于今仍未在各人限度内实行。

诚然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为工夫节点进行系统定名,但毫无疑问现在的工艺工夫亦然数字越小越先进。

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跟着半导体工艺微缩道路不停地上前发展,集成电路内电路与电路间的距离也不停缩窄,从而对彼此产生搅扰,而 BSPDN 工夫则不错克服这一死心,这是因为咱们不错诈欺晶圆后头来构建供电道路,以分隔电路和电源空间。

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《三星打算 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电工夫》

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